规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
50 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Standard |
漏极至源极电压(VDSS) |
900V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
2.2A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
7.2 Ohm @ 1.1A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
15nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
500pF @ 25V |
功率 - 最大 |
85W |
安装类型
|
Through Hole |
包/盒
|
TO-220-3 |
供应商器件封装 |
TO-220 |
包装材料
|
Tube |
包装 |
3TO-220AB |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
900 V |
最大连续漏极电流 |
2.2 A |
RDS -于 |
7200@10V mOhm |
最大门源电压 |
±30 V |
典型导通延迟时间 |
15 ns |
典型上升时间 |
35 ns |
典型关闭延迟时间 |
20 ns |
典型下降时间 |
30 ns |
工作温度 |
-55 to 150 °C |
安装 |
Through Hole |
标准包装 |
Rail / Tube |
最大门源电压 |
±30 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最高工作温度 |
150 |
标准包装名称 |
TO-220 |
最低工作温度 |
-55 |
渠道类型 |
N |
封装 |
Rail |
最大漏源电阻 |
7200@10V |
最大漏源电压 |
900 |
每个芯片的元件数 |
1 |
供应商封装形式 |
TO-220AB |
最大功率耗散 |
85000 |
最大连续漏极电流 |
2.2 |
引脚数 |
3 |
铅形状 |
Through Hole |
FET特点 |
Standard |
安装类型 |
Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
2.2A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) |
900V |
供应商设备封装 |
TO-220 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
7.2 Ohm @ 1.1A, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
85W |
封装/外壳 |
TO-220-3 |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
500pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
15nC @ 10V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
类别 |
Power MOSFET |
配置 |
Single |
外形尺寸 |
10.1 x 4.7 x 9.4mm |
身高 |
9.4mm |
长度 |
10.1mm |
最大漏源电阻 |
7.2 Ω |
最高工作温度 |
+150 °C |
最大功率耗散 |
85 W |
最低工作温度 |
-55 °C |
包装类型 |
TO-220, TO-220AB |
典型栅极电荷@ VGS |
12 nC V @ 10 |
典型输入电容@ VDS |
390 pF V @ 25 |
宽度 |
4.7mm |
工厂包装数量 |
50 |
晶体管极性 |
N-Channel |
连续漏极电流 |
2.2 A |
零件号别名 |
FQP2N90_NL |
下降时间 |
30 ns |
产品种类 |
MOSFET |
单位重量 |
0.063493 oz |
正向跨导 - 闵 |
2 S |
RoHS |
RoHS Compliant |
源极击穿电压 |
+/- 30 V |
系列 |
FQP2N90 |
RDS(ON) |
7.2 Ohms |
安装风格 |
Through Hole |
功率耗散 |
85 W |
上升时间 |
35 ns |
漏源击穿电压 |
900 V |
高度 |
9.4mm |
晶体管材料 |
Si |
类别 |
功率 MOSFET |
长度 |
10.1mm |
典型输入电容值@Vds |
390 pF @ 25 V |
通道模式 |
增强 |
安装类型 |
通孔 |
每片芯片元件数目 |
1 |
最大漏源电阻值 |
7.2 Ω |
最高工作温度 |
+150 °C |
通道类型 |
N |
最低工作温度 |
-55 °C |
最大功率耗散 |
85 W |
最大栅源电压 |
±30 V |
宽度 |
4.7mm |
尺寸 |
10.1 x 4.7 x 9.4mm |
最小栅阈值电压 |
3V |
最大漏源电压 |
900 V |
典型接通延迟时间 |
15 ns |
典型关断延迟时间 |
20 ns |
封装类型 |
TO-220AB |
最大连续漏极电流 |
2.2 A |
引脚数目 |
3 |
晶体管配置 |
单 |
典型栅极电荷@Vgs |
12 nC @ 10 V |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage |
900 V |
Vgs - Gate-Source Voltage |
30 V |
类型 |
MOSFET |
品牌 |
Fairchild Semiconductor |
通道数 |
1 Channel |
商品名 |
QFET |
晶体管类型 |
1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current |
2.2 A |
Rds On - Drain-Source Resistance |
7.2 Ohms |
Pd - Power Dissipation |
85 W |
技术 |
Si |